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一种提高硫化锑薄膜光电性能的方法

摘要

本发明公开了一种提高硫化锑薄膜光电性能的方法,该方法采用一种新型的水溶液沉积方法与热处理结合的制备方法制备硫化锑薄膜,通过旋涂、浸泡、热蒸发、电沉积和光电沉积等方法在硫化锑电极表面原位生长助催化剂,制备Sb2S3/Co3O4、Sb2S3/Co‑Pi和Sb2S3/FeOOH等复合电极;提高Sb2S3电极的光电化学性能。该方法具有设备、操作简单、价格便宜和易于连续生产等优点,同时负载助催化剂之后,极大的提升了硫化锑薄膜的光电性能。

著录项

  • 公开/公告号CN109569658B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中南大学;

    申请/专利号CN201910018040.1

  • 申请日2019-01-09

  • 分类号B01J27/04(20060101);B01J35/06(20060101);C23C18/12(20060101);H01M4/1397(20100101);

  • 代理机构43207 长沙智德知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人曾芳琴

  • 地址 410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号

  • 入库时间 2022-08-23 11:37:32

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