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一种提高透明导电薄膜光电性能的后处理方法

摘要

本发明涉及透明导电薄膜技术领域,具体涉及一种提高透明导电薄膜光电性能的后处理方法。该方法首先制备得到透明导电薄膜;再将此透明导电薄膜放入到精密离子刻蚀仪中,并调节设备电流电压到合适值;利用离子束轰扫薄膜表面去除表面吸附的一层不导电层从而提高薄膜的光电性能。采用本发明处理的透明导电薄膜,可大幅度提高薄膜的光电性能,操作简单,成本和能耗低,对生态环境无污染,不会损坏薄膜材料以及基底,适用于处理任何种类的透明导电薄膜且这种方法可配合传统的后处理使用进一步去提高透明导电薄膜的光电性能,具有很好的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN109036706B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院金属研究所;

    申请/专利号CN201810717390.2

  • 发明设计人 祝清省;郑博达;

    申请日2018-07-03

  • 分类号

  • 代理机构沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人张志伟

  • 地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号

  • 入库时间 2022-08-23 10:58:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-15

    授权

    授权

  • 2019-01-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01B13/00 申请日:20180703

    实质审查的生效

  • 2018-12-18

    公开

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