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公开/公告号CN110205597B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-02
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工业大学;
申请/专利号CN201910628957.3
发明设计人 田修波;吴厚朴;巩春志;
申请日2019-07-12
分类号C23C14/35(20060101);
代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;
代理人于歌
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2022-08-23 11:37:27
机译: 宽带高斯脉冲高功率射频发射机峰值功率和脉冲宽度的控制方法和装置
机译:通过双极脉冲高功率脉冲磁控溅射制备的Cu薄膜
机译:双脉冲高功率脉冲磁控溅射合成硬菱形碳膜
机译:通过反应多脉冲高功率脉冲磁控溅射获得的TiOxny薄膜的可见光光催化活性
机译:连续波和脉冲高功率半导体分离约束双异质结构激光器
机译:用于互连金属化的高功率脉冲磁控溅射和调制脉冲功率溅射的比较。
机译:脉冲高功率微波在体外不会损害皮肤正常细胞和癌细胞的功能:一项短期生物学评估
机译:真空弧和磁控溅射的脉冲高功率方法获得的碳涂层的性质
机译:用于激光粒子加速研究的紫外预电离双波长短脉冲高功率CO(sub 2)激光设备