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一种由微米级五边形氧化亚锡构成的薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种微米级五边形氧化亚锡构成的薄膜的制备方法,该方法采用商品氧化亚锡作为前驱物,硅片作为基底,使用气相沉积法成功得到了微米级五边形氧化亚锡构成的薄膜材料。对于氧化亚锡薄膜的制备,该方法所需原料简单易获取,成本较低且无废弃物产生。制备工艺操作简单,不受环境因素限制。氧化亚锡由于其特殊的光学和电学性能,使得其在光电领域的应用非常广,因此被广泛用于催化剂、还原剂、薄膜晶体管、锂电池电极及超大容量储器等领域。本发明创新了氧化亚锡薄膜制备的研究思路,为氧化亚锡薄膜的光电性能研究奠定基础。

著录项

  • 公开/公告号CN108842142B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 河北工业大学;

    申请/专利号CN201810719696.1

  • 申请日2018-07-03

  • 分类号C23C16/40(20060101);

  • 代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人万尾甜;韩介梅

  • 地址 300401 天津市北辰区双口镇西平道5340号

  • 入库时间 2022-08-23 11:37:06

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