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一种生长在碳布上的富银硒化银柔性场发射阴极材料的制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种生长在碳布上的富银硒化银纳米材料的制备方法和其在场发射阴极材料中的应用。所述制备方法为:将含有银源和硒源的混合溶液倒入装有碳纤维布的聚四氟乙烯作内衬的高压反应釜中,然后进行密闭,放入反应炉里进行加热反应,得到富银硒化银纳米材料;所述含有银源和硒源的混合溶液的制备方法为:将硝酸银粉末和相同物质的量的十六烷基三甲基溴化铵溶于去离子水中,再加入硒粉、乙二醇,混合均匀,向其中加入氨水,搅拌均匀,得到含有银源和硒源的混合溶液。本发明合成的生长在碳布上的富银硒化银纳米材料具备优异的场发射性能,能作为场发射阴极材料用于半导体器件。

著录项

  • 公开/公告号CN109950113B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东华大学;

    申请/专利号CN201910232341.4

  • 发明设计人 李羚玮;侯鑫;薛绍林;

    申请日2019-03-26

  • 分类号H01J9/02(20060101);B82Y30/00(20110101);

  • 代理机构31001 上海申汇专利代理有限公司;

  • 代理人翁若莹;王文颖

  • 地址 201600 上海市松江区人民北路2999号

  • 入库时间 2022-08-23 11:36:59

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