一种IC装备关键零部件表面防护涂层的制备方法

摘要

本发明涉及半导体集成电路芯片等离子体刻蚀领域，具体是公开了一种IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法。采用超音速火焰喷涂和冷喷涂沉积技术，在等离子体刻蚀腔表面形成均匀分布的防护涂层。该防护涂层具有双层复合结构：底层为超音速火焰喷涂的沉积Al/Y₂O₃涂层作为打底层和中间过渡层，能够提高涂层与基体的结合力并减少涂层与基体之间热膨胀系数的差别；最外层为高纯Y₂O₃陶瓷涂层，采用冷喷涂将Y₂O₃陶瓷粉末高速沉积在Al/Y₂O₃中间过渡层上。本发明涂层能减少或阻止腐蚀性气体对刻蚀腔体的腐蚀和等离子体对芯片的污染，提高了等离子体刻蚀腔在生产芯片过程中的使用寿命。