一种CMOS图像传感器及其制备方法和电子装置

摘要

本发明涉及一种CMOS图像传感器及其制备方法和电子装置。所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一导电类型；二极管区域，所述二极管区域具有第二导电类型，位于所述半导体衬底中；MOS晶体管，位于所述半导体衬底上方并且部分地位于所述二极管区域的上方；第一离子注入区域，所述第一离子注入区域部分地覆盖所述二极管区域并且部分地位于所述MOS晶体管的下方；其中所述第一离子注入区域由上至下包括两个导电类型不同的区域。在本发明所述第一离子注入区域(TP)电子传输性能显著提高，显著提高了CMOS图像传感器的电子迁移率，有效改善拖影现象，提高了CMOS图像传感器的灵敏度。