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一种氧化铟锡/垂直石墨烯光电探测器复合结构及其制备方法

摘要

一种氧化铟锡/垂直石墨烯光电探测器复合结构及其制备方法,属于光电探测器技术领域。该光电探测器的结构从下至上依次是:玻璃作为器件的衬底;垂直石墨烯作为器件的光吸收层和电子传输层;氧化铟锡薄膜作为透明电流辅助扩散层;垂直石墨烯两侧是钛/金电极连接外部电源。由于垂直石墨烯具有宽光谱响应特性,使得该探测器的工作波段从可见光到红外波段,本发明设计的氧化铟锡薄膜层可有效的传输光生载流子,抑制缺陷影响,提升器件的输出光电流。另外,该探测器拥有较高的光吸收率和光响应度,在较低的偏压下就可以进行工作,工艺制备简单可重复,有效提高探测器的探测效率和成品率。

著录项

  • 公开/公告号CN110335900B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN201910372272.7

  • 发明设计人 关宝璐;杨嘉炜;慈海娜;刘忠范;

    申请日2019-05-06

  • 分类号H01L31/0216(20140101);H01L31/09(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人张立改

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2022-08-23 11:36:23

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