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基于暗场成像的太赫兹成像方法及装置

摘要

一种基于暗场成像的太赫兹成像方法及装置,该方法包括准直的太赫兹波束经目标透射后得到第一透射波束;第一透射波束传播距离f后经第一透镜调制后得到第二透射波束;第二透射波束传播距离f后经过频谱面的波束挡板后得到第三透射波束;第三透射波束传播距离f后经第二透镜调制后得到第四透射波束;第四透射波束传播距离f后被太赫兹相机接收后成像。本发明将暗场成像技术引入到太赫兹成像中,结合暗场成像可实现高对比度成像的特点,从而实现太赫兹高对比度成像。

著录项

  • 公开/公告号CN110823832B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院电子学研究所;

    申请/专利号CN201911152487.4

  • 发明设计人 吴世有;刘辉;李超;常超;方广有;

    申请日2019-11-20

  • 分类号G01N21/3586(20140101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人吴梦圆

  • 地址 100190 北京市海淀区北四环西路19号

  • 入库时间 2022-08-23 11:35:48

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