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先进退火工艺中减少颗粒的设备和方法

摘要

本发明的实施方式大体涉及使用薄膜除去孔构件的污染物的热处理半导体基板的设备和方法。孔构件设置在能量源和待处理的基板之间。薄膜可为对选定形式的能量(诸如来自在一段所需时间内在一个或更多个适当波长下发出辐射的激光的电磁能脉冲)实质上透明的薄的膜。在一个实施方式中,薄膜安装在离孔构件预定距离处并覆盖在孔构件上形成的图案开口(即孔),使得可能落在孔构件上的任何颗粒污染物将会落在薄膜上。薄膜保持颗粒污染物在最终能量场的焦点外,从而防止颗粒污染物在处理的基板上成像。

著录项

  • 公开/公告号CN107579022B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料公司;

    申请/专利号CN201710619013.0

  • 发明设计人 阿米科姆·萨德;

    申请日2013-03-22

  • 分类号H01L21/67(20060101);H01L21/268(20060101);

  • 代理机构11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司;

  • 代理人徐金国;赵静

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 11:35:40

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