一种去除Poly绕镀清洗方法

摘要

本发明公开了一种新型去除poly绕镀的清洗方法，该清洗方法中从上料到下料工艺步骤都在链式机台上进行操作，且尤其涉及清洗工艺步骤正面刻蚀采用HF/HNO₃药液低温刻蚀，温度10‑20℃，HF/HNO₃/H₂O体积比1:10:13—1:12:15；通过HNO₃在硅片表面生成氧化层，再使用HF将绕镀区域去除；碱洗采用KOH/H₂O药液质量配比1:15—1:20；酸洗首先采用O₃/HF/HCl，其中O₃浓度15‑30ppm，HF/HCl体积比1:1—2:5；酸洗第2步工艺采用HF/HCl药液，最后清洁脱水烘干处理。本发明采用清洗工艺，进而降低设备成本的投入，提高产能及良率。