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用于静态随机存取存储器寄存器文件的硅锗读端口

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摘要

一种静态随机存取存储器(SRAM)电路包括写端口以及耦合至该写端口的读端口。该读端口包括读位线以及具有硅锗(SiGe)沟道的第一p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。该读端口还包括具有第二SiGe沟道的第二PMOS晶体管，其中该第二PMOS晶体管被耦合至第一PMOS晶体管。

公开/公告号CN106575521B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-12

原文格式PDF
申请/专利权人高通股份有限公司;
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申请/专利号CN201580044949.4
发明设计人 N·莫江德;S·S·宋;Z·王;C·F·耶普;
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申请日2015-07-23
分类号G11C11/412(20060101);G11C11/419(20060101);H01L27/11(20060101);H01L29/10(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人周敏;陈炜
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 11:35:08

1. 用于静态随机存取存储器寄存器文件的硅锗读端口 [P] . 中国专利： CN106575521B . 2021.03.12
2. 用于静态随机存取存储器寄存器文件的硅锗读端口 [P] . 中国专利： CN106575521A . 2017-04-19
3. Silicon germanium read port for a static random access memory register file [P] . 美国专利： US9336864B2 . 2016-05-10

机译：硅锗读取端口，用于静态随机存取存储器寄存器文件
4. SILICON GERMANIUM READ PORT FOR A STATIC RANDOM ACCESS MEMORY REGISTER FILE [P] . IN201747001579A . 2017-06-02

机译：静态访问存储器寄存器文件的硅锗读取端口
5. SILICON GERMANIUM READ PORT FOR A STATIC RANDOM ACCESS MEMORY REGISTER FILE [P] . 欧洲知识产权局专利： EP3186831A1 . 2017-07-05

机译：静态访问存储器寄存器文件的硅锗读取端口