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一种在C/SiC复合材料表面制备薄膜热电偶的方法

摘要

本发明公开了一种在C/SiC复合材料表面制备薄膜热电偶的方法,具有如下步骤:S1、C/SiC复合材料表面处理;S2、在C/SiC复合材料上制备导电层;S3、电镀沉积Ni‑ZrO2复合层;S4、机械打磨电镀层;S5、抛光Ni‑Cr‑ZrO2复合过渡层;S6、制备有复合过渡层的C/SiC复合材料表面处理;S7、制备SiO2绝缘膜、薄膜热电偶功能薄膜和SiO2保护膜。本发明制备的Ni‑Cr‑ZrO2复合过渡层与C/SiC复合材料有良好的结合力,同时可以为薄膜热电偶提供连续平整的附着面,制备出的薄膜热电偶能够满足C/SiC复合材料制造的航空发动机热端部件瞬时表面温度测试需求。

著录项

  • 公开/公告号CN109778131B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连交通大学;

    申请/专利号CN201910119728.9

  • 申请日2019-02-18

  • 分类号C23C14/35(20060101);C23C14/18(20060101);C25D15/00(20060101);C25D3/12(20060101);C25D5/54(20060101);C25D5/52(20060101);C25D5/18(20060101);C25D5/20(20060101);C23C14/10(20060101);C23C14/04(20060101);C23C28/00(20060101);G01K7/04(20060101);

  • 代理机构21212 大连东方专利代理有限责任公司;

  • 代理人唐楠;李洪福

  • 地址 116028 辽宁省大连市沙河口区黄河路794号

  • 入库时间 2022-08-23 11:34:31

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