一种达林顿晶体管参数的测试方法

摘要

本发明属于达林顿晶体管技术领域，涉及一种达林顿晶体管参数的测试方法，包括如下步骤：在测试BVCEO参数过程中，通过示波器观测是否有自激震荡；在达林顿晶体管的基极B、集电极C间并入300P/2KV阻尼电容；在偏置电流IC的回路中串联10KΩ电阻来消除自激震荡；在测试饱和压降VCES参数时，通过降低集电极电流IB的输入值，得出最终测试饱和压降VCES的值，有效避免了因Ib电流过大，导致的产品烧坏；本发明的测试方法可以有效的消除达林顿管BVCEO误测的问题，同时通过减小IB电流值来避免产品被烧坏，提高了达林顿管的质量及可靠性。