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公开/公告号CN108137411B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-02
原文格式PDF
申请/专利权人 日本碍子株式会社;
申请/专利号CN201680050576.6
发明设计人 渡边守道;佐藤圭;松岛洁;七泷努;
申请日2016-09-26
分类号C04B35/111(20060101);
代理机构11432 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙);
代理人王轶;陈东升
地址 日本国爱知县
入库时间 2022-08-23 11:33:59
机译: 带有氧化层的氮化铝基板,氮化铝烧结体,生产氮化铝基板和氧化铝烧结体的方法,电路板以及LED模块
机译: 形成用于氧化物超导体的取向层下层的方法,用于制造具有氧化物超导体的取向层的基板的方法,具有用于氧化物超导体的取向层的基板和用于氧化物超导体的取向层下层的沉积设备
机译: 取向图案异物在取向图案材料上的异质外延生长
机译:原位合成CO3O4纳米座阵列的阳极氧化铝基板的阳极氧化铝基板的阵列从层状双氢氧化物作为纳米吸收器的薄膜微萃取,然后进行HPLC-UV定量
机译:在金属铝基板上外延生长高质量AlN膜
机译:等离子体辅助分子束外延生长的各种取向β-GA2O3膜的金属氧化物催化外延(传络)
机译:在金红石型氧化物上基于α和B轴取向的外延生长的Bi_4Ti_3O_(12)的制备及表征
机译:氧化铝浆液喷射对铝基板抛光和腐蚀的影响:实验和CFD建模
机译:移动电话电阻器在辐照的氧化铝基板中的光激发发光(OSL)剂量测定
机译:电流控制液相外延生长GaAs的取向依赖性外延生长
机译:(110)取向作为Ge上Gaas分子束外延生长的优选取向,si上的Gap和类似的Zincblende-on-Diamond系统