公开/公告号CN100415063C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-08-27
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社半导体能源研究所;
申请/专利号CN200410088072.2
申请日2000-06-21
分类号H05B33/08(20060101);H05B33/12(20060101);H05B33/02(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人陈景峻
地址 日本神奈川县
入库时间 2022-08-23 09:01:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-14
专利权有效期届满 IPC(主分类):H05B33/08 授权公告日:20080827 申请日:20000621
专利权的终止
2008-08-27
授权
授权
2008-08-27
授权
授权
2005-06-22
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-06-22
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-04-20
公开
公开
2005-04-20
公开
公开
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机译: 薄膜半导体器件,薄膜半导体器件制造方法,液晶显示器件,液晶显示器件制造方法,电子器件,电子器件制造方法以及薄膜半导体器件,液晶显示器,液晶显示器的制造工艺,电子设备。电子设备的制造工艺和薄膜沉积工艺)
机译: 有机电子材料及其制造方法,聚合引发剂和热聚合引发剂,油墨组合物,有机薄膜及其制造方法,有机电子器件,有机电致发光器件,照明器件,显示器件和显示器件
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