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公开/公告号CN110055579B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-02
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海光学精密机械研究所;
申请/专利号CN201910283598.2
发明设计人 王斌;齐红基;邵建达;陈端阳;王虎;王晓亮;
申请日2019-04-10
分类号C30B7/08(20060101);C30B29/14(20060101);
代理机构31317 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人张宁展
地址 201800 上海市嘉定区清河路390号
入库时间 2022-08-23 11:33:44
机译: KDP型晶体长籽晶单锥生长的方法
机译: 基于KDP基晶体的长型晶体的单锥生长方法
机译: 使用压力驱动生长工艺和多个籽晶垫制造合成单晶金刚石材料的方法,每个籽晶垫包括多个单晶钻石晶种
机译:一种使用多个具有随机取向的籽晶确定优先生长取向的简单方法,并将其用于优化种子以抑制SiGe块晶的多晶化
机译:人工晶界构型的籽晶在硅双晶浮区生长中的应用
机译:使用硅籽晶和源晶通过多组分区域熔化法生长的富硅SiGe单晶的成分变化
机译:高功率激光器快速生长的KDP晶体中界面晶种的结构质量
机译:通过热线化学气相沉积在低温下在多晶硅籽晶层上外延生长硅。
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机译:通过法医学和人类学确定人类生长//法医学和人类学中肢体长骨中人类生长的测定 ud通过法医学和人类学确定人类生长//法医和人类学中肢体长骨中人类生长的测定
机译:评估不同晶体生长参数对KDp和DKDp激光损伤性能重要性的新快速方法