公开/公告号CN100432289C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-11-12
原文格式PDF
申请/专利权人 陶氏环球技术公司;
申请/专利号CN03803317.8
申请日2003-02-03
分类号C23C16/509(20060101);
代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址 美国密歇根州
入库时间 2022-08-23 09:01:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-11-12
授权
授权
2005-08-17
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-06-15
公开
公开
机译: 通过化学气相沉积在任选的平面晶体硅基底上的选择性沉积,包括形成基底,在基底的一部分上形成牺牲/保护层,以及在基底上沉积颗粒
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