单片集成硅光芯片的分布式反馈激光器及其制备方法

摘要

本发明属于硅光技术领域，具体为单片集成硅光芯片的分布式反馈激光器及其制备方法。本发明激光器结构包括：SOI基片的硅衬底；二氧化硅绝缘层；高激光增益的掺杂硅纳米晶薄膜层，由顶层本征硅衬底刻蚀的硅波导；其中，掺杂硅纳米晶薄膜层包含有一维分布反馈结构，通过光刻技术形成有布拉格光栅，构成激光器的谐振腔；作为光泵浦的光源为电激发的LED或激光二极管，直接贴合于光泵激光区域上方，通过光泵浦方式产生激光输出；出射激光与SOI上的硅波导直接对准，从而获得很高的耦合效率。本发明器件结构紧凑、制作工艺成熟，信号激光与波导耦合损耗低，避免了基于半导体增益材料的硅基激光器集成结构复杂、波导与激光耦合困难的弊端。