法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-03-26
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B81C 1/00 授权公告日:20081119 终止日期:20130124 申请日:20060124
专利权的终止
2008-11-19
授权
授权
2006-09-27
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-08-02
公开
公开
机译: 用于半导体元件阵列的密度梯度的多阶段平滑的方法,具有在子阵列中布置具有密度梯度的单元组,其中每个单元的特征密度小于具有另一梯度的单元的特征密度
机译: 具有微数密度或维数梯度的金属纳米粒子阵列的制备方法
机译: 用于成像的光学设备具有两个叠置的阵列,每个阵列都具有一组一维平行平行且沿延伸轮廓方向扩展的一维细长圆柱光学单元