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基于单个衍射峰的计算形变晶体材料位错密度的方法

摘要

本公开揭示了一种基于单个衍射峰的计算形变晶体材料位错密度的方法,包括:利用同步辐射能量扫描X射线衍射技术,获得形变晶体材料的衍射强度相对于衍射矢量模的实验强度分布曲线和无形变晶体材料的衍射强度相对于衍射矢量模的参考强度分布曲线;引入无量纲变量M,计算位错密度归一化后衍射峰的标准强度分布曲线;根据所述实验强度分布曲线和标准强度分布曲线,计算实验强度分布曲线的特定M值,记为M′;根据所述实验强度分布曲线、标准强度分布曲线和参考强度分布曲线的半高宽计算形变晶体材料的位错密度。本公开通过分析单个衍射峰的强度分布曲线就能获得形变晶体材料的位错密度,缩短了实验耗时。

著录项

  • 公开/公告号CN111220634B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN202010041499.6

  • 发明设计人 陈凯;周光妮;张玉彬;朱文欣;

    申请日2020-01-16

  • 分类号G01N23/2055(20180101);G01N23/207(20060101);

  • 代理机构11429 北京中济纬天专利代理有限公司;

  • 代理人覃婧婵

  • 地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号

  • 入库时间 2022-08-23 11:33:00

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