一种改善GaN HEMT表面电子束直写电荷积累的方法

摘要

本发明是一种改善GaN HEMT表面电子束直写电荷积累的方法，其特征该方法包括如下工艺步骤：（1）元件的制备；（2）纳米薄层金属锗的制备；（3）电子束直写栅；（4）纳米薄层金属锗的第一次去除；（5）栅介质的刻蚀，栅金属的蒸发和剥离；（6）纳米薄层金属锗的第二次去除。本发明的优点：1、采用金属锗作为底层导电层，一致性好，而且厚度精确可控；在其表面涂敷的电子束胶具有很好的粘附性，又易于去除。2、金属锗在10nm以下便可具有非常好的导电特性，对改善GaN HEMT表面电子束电荷积累效果优异。