Sn₂₀Sb₈₀/Si多层相变薄膜材料及其制备方法

摘要

本发明提供一种Sn₂₀Sb₈₀/Si多层相变薄膜材料，其为多层复合膜结构，由Sn₂₀Sb₈₀层和Si层交替沉积复合而成，将一层Sn₂₀Sb₈₀层和一层Si层作为一个交替周期，后一个交替周期的Sn₂₀Sb₈₀层沉积在前一个交替周期的Si层上方；所述Sn₂₀Sb₈₀层是以Sn₂₀Sb₈₀靶材通过磁控溅射法得到，所述Si层是以Si靶材通过磁控溅射法得到；所述Sn₂₀Sb₈₀/Si多层相变薄膜材料的结构用通式[Sn₂₀Sb₈₀(a)/Si(b)]_x表示，其中a为单层Sn₂₀Sb₈₀层的厚度，a＝1nm～50nm；b为单层Si层的厚度，b＝1nm～50nm，x为Sn₂₀Sb₈₀层和Si层的交替周期数，x为正整数。本发明提供的Sn₂₀Sb₈₀/Si多层相变薄膜材料能够改善现有存储器的热稳定性和操作功耗。