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公开/公告号CN107278283B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-09
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201680012375.7
发明设计人 P·杜塔;K·K·加内桑;
申请日2016-02-25
分类号G06F1/3234(20190101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人刘瑜;王英
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-23 11:31:28
机译: 低功率状态下嵌入式控制器功率管理技术
机译:适用于低工作功率/低待机功率应用的HfSiON-CMOSFET技术
机译:用于保护低温目标在高功率激光设施焦点期间保护低功率激光设施的多级系统
机译:适用于130纳米以下技术的低待机功率状态存储
机译:适用于能量收集器的电池管理系统,具有低功率充电状态监视方法和间歇性启用的24微瓦库仑计数器
机译:适用于流水线ADC的功率可扩展和低功率设计技术。
机译:循环期间最大乳酸稳定状态下的计算功率和实验功率的比较
机译:用于低功率微波和高速/低功率数字集成电路的III-V互补HIGFET技术
机译:评估大海湾低功率和停机操作期间可能发生的严重事故,第1单元:在加油停运期间评估工厂运行状态5的严重事故风险。主要报告和附录,第6卷,第1部分