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一种内锡工艺的Nb3Sn超导线接头及其制备方法

摘要

一种内锡工艺Nb3Sn超导线接头及其制备方法,由外向内分别为,铜管、Nb3Sn接头部分、Nb丝束。Nb丝束位于铜管中心,Nb丝束和铜管内壁之间为Nb3Sn接头部分。Nb3Sn接头部分包括Nb3Sn烧结块体、Nb粉、Sn粉和Cu粉。Nb3Sn烧结块体包括两部分:一部分由Nb粉、Sn粉和Cu粉经过高温扩散反应生成,另一部分由高温热处理反应后的青铜工艺Nb3Sn线材中剥离出的Nb3Sn多丝,然后球磨成粉体并烧结得到。Nb丝束为由未经热处理的Nb3Sn超导线去除稳定层Cu和扩散阻隔层Ta及内部的Sn,剩余的Nb多丝编织而成。内锡工艺Nb3Sn测试线圈的进线端和出线端经过高温热处理反应,在接头部分形成超导连接。本发明Nb3Sn超导接头的临界磁场高,电阻低。

著录项

  • 公开/公告号CN111262051B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院电工研究所;

    申请/专利号CN202010174230.5

  • 申请日2020-03-13

  • 分类号H01R4/68(20060101);H01R43/00(20060101);H01F6/06(20060101);H01F41/04(20060101);

  • 代理机构11251 北京科迪生专利代理有限责任公司;

  • 代理人关玲

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村北二条6号

  • 入库时间 2022-08-23 11:30:50

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