对存储器件进行编程的方法及相关存储器件

摘要

在包括形成于衬底中的多个存储单元、顶部虚设储存区、底部虚设储存区、多个字线和多个位线的存储器件中，在第一时段期间，对所述多个位线中的选择的位线、所述衬底中的沟道区和所述衬底中的源极区进行预充电，并且在所述第一时段期间，向所述底部虚设储存区施加负预脉冲电压。在所述第一时段之后的第二时段期间，对所述多个存储单元中的选择的存储单元进行编程，其中，所述选择的存储单元被耦合到所述选择的位线和所述多个字线中的选择的字线。