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压电陶瓷溅射靶材、无铅压电薄膜以及压电薄膜元件

摘要

本发明的目的在于提供一种在无铅压电薄膜的制造中可以充分地抑制成为缺陷的主要因素的微粒的产生的压电陶瓷溅射靶材。所述压电陶瓷溅射靶材其特征在于,所述压电陶瓷溅射靶材以化学式(I):ABO3所表示的钙钛矿型氧化物为主成分,所述化学式(I)的A成分至少含有K(钾)和/或Na(钠),所述化学式(I)的B成分至少含有Nb(铌),所述压电陶瓷溅射靶材由多个晶粒构成,所述晶粒的平均粒径大于3μm且为30μm以下。

著录项

  • 公开/公告号CN107235724B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TDK株式会社;

    申请/专利号CN201710195606.9

  • 发明设计人 东智久;七尾胜;石井健太;

    申请日2017-03-28

  • 分类号H01L41/187(20060101);C04B35/495(20060101);C04B35/48(20060101);C23C14/34(20060101);

  • 代理机构11322 北京尚诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人杨琦;沈娟

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 11:30:31

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