用于减少晶片缺陷的保持环

摘要

本发明公开了一种保持环和一种化学机械抛光系统(CMP)。在一个实施方式中，用于抛光系统的保持环包括环形主体，所述环形主体具有抛光内径。所述主体具有：底表面，所述底表面具有形成在其中的槽；外径壁；和内径壁，其中所述内径壁被抛光至小于约30微英寸(μin)的平均粗糙度(R_a)。