掺杂的氮化物膜、掺杂的氧化物膜、以及其它掺杂的膜

摘要

在氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、或碳化硅膜的形成过程中加入至少一种非硅前体(例如锗前体、碳前体等)，改善了淀积速率和/或使得有可能调节膜的性质，例如调节膜的应力。而且，在掺杂的氧化硅或掺杂的氮化硅或其它的掺杂的结构中，掺杂剂的存在可以被用来测量与掺杂剂相关的信号作为腐蚀过程中的腐蚀停止或其它用来达到控制。