公开/公告号CN108281454B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-19
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州紫元科技有限公司;
申请/专利号CN201810082765.2
申请日2018-01-29
分类号H01L27/148(20060101);H01L31/107(20060101);
代理机构33305 杭州信义达专利代理事务所(普通合伙);
代理人施建勇
地址 310000 浙江省杭州市富阳区银湖街道富闲路9号银湖创新中心7号二层216室
入库时间 2022-08-23 11:29:27
机译: 具有基于氧化锌的半导体层和基于氧化锌的绝缘层的薄膜晶体管的制造方法
机译: 具有SiNx薄膜和BN薄膜的多层纳米层压结构的半导体器件中的绝缘层及其形成方法
机译: 具有SiNx薄膜和BN薄膜的多层纳米层压结构的半导体器件中的绝缘层及其形成方法