一种不稳定的二维材料的半导体薄膜场效应管的制备方法

摘要

本发明涉及一种不稳定的二维材料的半导体薄膜场效应管的制备方法，半导体薄膜场效应管由下至上依次包括硅片衬底、不稳定的二维材料、氧化铪薄膜、氧化铝薄膜、源极及漏极。本发明在不稳定的二维材料沉积氧化铪薄膜，在氧化铪薄膜上沉积氧化铝薄膜，氧化铝薄膜在后期的微纳加工工艺中将起到包覆半导体材料，隔绝空气与工艺溶剂的作用。并且在器件制备完毕后，器件沟道上的氧化铝薄膜作为缓冲层将进一步保护材料的性质，从而使得器件性能可以长时间稳定。氧化铝薄膜质量高，禁带宽度大，光透过谱范围较大，适合光电器件的制作。