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形成传感器集成封装的方法和由此形成的结构

摘要

描述了形成传感器集成封装器件的方法和由此形成的结构。实施例包括提供基板核,其中第一导电迹线结构和第二导电迹线结构设置在基板核上;在第一导电迹线结构和第二导电迹线结构之间形成腔体;以及将磁体放置在设置于第一和第二导电迹线结构中的每一个的部分上的抗蚀剂材料上,其中抗蚀剂材料不在腔体之上延伸。

著录项

  • 公开/公告号CN107406248B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN201680018801.8

  • 申请日2016-02-25

  • 分类号B81B3/00(20060101);B81B7/02(20060101);B81C1/00(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人申屠伟进;张涛

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 11:28:56

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