公开/公告号CN110536768B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-12
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社日立成套设备工程;
申请/专利号CN201880016090.X
申请日2018-06-26
分类号B23D55/04(20060101);B23D21/02(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人岳雪兰
地址 日本东京都
入库时间 2022-08-23 11:28:43
机译: 通过对半导体晶片进行切割而制造的放射线检测器及其切割方法
机译: 使用干法蚀刻对半导体晶片进行减薄和切割,以及对半导体芯片的底边缘和角进行倒圆的方法
机译: 用于对半导体材料的层进行退火的装置,用于对半导体材料的层进行退火的方法以及平板显示器