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芯片型低介电常数介电层和平面电感元件的制作方法

摘要

一种芯片型Low-k介电层的制作方法。首先提供一半导体基底,且该半导体基底包括多个连接垫。接着于该半导体基底的表面形成一感光介电层,并进行一曝光暨显影工艺,去除部分该感光介电层以形成多个开口,其中这些开口至少曝露出这些连接垫,且各该开口的侧壁呈向外倾斜状。

著录项

  • 公开/公告号CN100437935C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-11-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 探微科技股份有限公司;

    申请/专利号CN200510052126.4

  • 发明设计人 胡书华;黄冠瑞;潘锦昌;黄世民;

    申请日2005-02-25

  • 分类号H01L21/31(20060101);H01L21/822(20060101);H01F17/00(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陶凤波;侯宇

  • 地址 台湾省桃园县

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-04-06

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/31 授权公告日:20081126 终止日期:20150225 申请日:20050225

    专利权的终止

  • 2008-11-26

    授权

    授权

  • 2006-10-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-08-30

    公开

    公开

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