公开/公告号CN109116198B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-08
原文格式PDF
申请/专利权人 京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司;
申请/专利号CN201810995027.7
申请日2018-08-29
分类号G01R31/12(20060101);
代理机构11319 北京润泽恒知识产权代理有限公司;
代理人莎日娜
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
入库时间 2022-08-23 11:28:21
机译: 半导体器件的时变介电击穿(TDDB)测试结构以及使用该结构的TDDB测试方法
机译: 半导体设备的时间依赖性电击穿(TDDB)测试结构以及使用该测试方法进行TDDB测试的方法
机译: 时间依赖性介电击穿测试结构及其测试方法