首页> 中国专利> 一类宽带隙萘类有机半导体材料及其制备方法和应用

一类宽带隙萘类有机半导体材料及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及一类宽带隙萘类有机半导体材料及其制备方法和应用,该宽带隙有机半导体材料的结构通式为本发明提供的上述结构化合物,具有较宽带隙,较好的热稳定性,光稳定性,优异的载流子传输效率,可广泛应用于有机电致发光器件、有机场效应晶体管器件等光学器件,具有很好的普适性和重复性等优点;本发明提供的合成路线简单高效,原料廉价,合成成本低,适用于工业化生产。

著录项

  • 公开/公告号CN106831364B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京工业大学;

    申请/专利号CN201710098010.7

  • 发明设计人 孟鸿;闫丽佳;赵亮;黄维;

    申请日2017-02-20

  • 分类号C07C41/30(20060101);C07C43/205(20060101);C07C319/20(20060101);C07C321/28(20060101);C07C1/32(20060101);C07C15/24(20060101);C09K11/06(20060101);H01L51/54(20060101);H01L51/05(20060101);H01L51/30(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 211800 江苏省南京市浦口区浦珠南路30号

  • 入库时间 2022-08-23 11:27:46

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号