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用于形成硅-钴膜的组合物、硅-钴膜及其形成方法

摘要

本发明提供一种不需要高价的真空装置或高频发生装置、并且制造成本低的用于形成硅-钴膜的组合物和方法。所述用于形成硅-钴膜的组合物含有硅化合物和钴化合物。将该组合物涂布在基体上,通过热和光进行处理时,形成硅-钴膜。

著录项

  • 公开/公告号CN100423199C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-10-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JSR株式会社;

    申请/专利号CN200480030494.2

  • 申请日2004-10-06

  • 分类号H01L21/28(20060101);H01L21/288(20060101);B05D3/00(20060101);B32B15/01(20060101);C01B33/04(20060101);C07F17/02(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人邰红;邹雪梅

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-25

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 授权公告日:20081001 终止日期:20171006 申请日:20041006

    专利权的终止

  • 2008-10-01

    授权

    授权

  • 2008-10-01

    授权

    授权

  • 2007-01-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-01-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-11-22

    公开

    公开

  • 2006-11-22

    公开

    公开

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