单晶硅上电结晶制铜钴纳米多层膜的研究

摘要

由磁性层和非磁性层组成的金属纳米多层膜具有优良的磁性和物性,如巨磁阻效应(GMR)和易磁性方向的改变等,其性能的研究有望应用于磁敏感设备以及提高磁记录密度等.Co/Cu多层膜因为它有相对较小的饱和磁场和相对较大的GMR效应,有望在当代迅速发展的磁记录磁头材料中得以应用.本文采用双电解槽法在单晶Si(111)上获得了Co/Cu多层膜,研究了电沉积铜和钴的成核机理,在室温下测定了Co/Cu多层膜的磁性能,讨论了GMR值与多层膜周期数的变化关系.