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一种磁性分子印迹光子晶体传感器及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种磁性分子印迹光子晶体传感器及其制备方法与应用。本发明采用非离子型双亲性无规共聚物,兼细乳化体系的乳化剂、磁性纳米粒子的包覆材料、传感器的分子印迹材料三者于一体,实现一步法制备磁性分子印迹光子晶体传感器,解决了目前分子印迹光子晶体传感器制备过程复杂繁琐、耗时耗力、成本高的问题,而且此方法构筑的是基于空间位阻效应的磁响应光子晶体,克服了基于静电排斥体系的缺陷,消除了待测溶液中离子强度、pH等的干扰,拓宽了此磁性分子印迹光子晶体传感器的实际应用。表面印迹的优势更是提高了光子晶体传感器的响应速度,达到了简便、快速的“裸眼检测”的效果。

著录项

  • 公开/公告号CN110964225B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江南大学;

    申请/专利号CN201911295944.5

  • 发明设计人 曹玉华;商朦;倪鑫炯;

    申请日2019-12-16

  • 分类号C08J9/26(20060101);C08F226/10(20060101);C08F212/08(20060101);C08K9/04(20060101);C08K3/22(20060101);G01N21/78(20060101);

  • 代理机构32257 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人郭磊

  • 地址 214000 江苏省苏州市滨湖区蠡湖大道1800号

  • 入库时间 2022-08-23 11:26:17

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