首页> 中国专利> 基于纳米阵列的弹道输运肖特基二极管及其制作方法

基于纳米阵列的弹道输运肖特基二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种基于纳米阵列的弹道输运肖特基二极管及其制作方法。所述基于纳米阵列的弹道输运肖特基二极管包括导电衬底,所述导电衬底的第一表面设有一个以上半导体纳米凸起部,所述半导体纳米凸起部的顶端与第一电极电连接,且所述半导体纳米凸起部与第一电极形成肖特基接触,所述导电衬底的第二表面与第二电极电连接,所述第二表面与第一表面相背对设置,所述半导体纳米凸起部的高度小于或等于载流子平均自由程。本发明的肖特基二极管在应用时,载流子在半导体纳米柱间的传输以弹道输运或准弹道输运的方式进行,实现了更低导通电阻、更快工作频率、更少工作能耗和更小器件尺寸的肖特基二极管。

著录项

  • 公开/公告号CN110504327B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201810476802.8

  • 申请日2018-05-17

  • 分类号H01L29/872(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/329(20060101);H01L21/34(20060101);B82Y40/00(20110101);B82Y30/00(20110101);B82Y10/00(20110101);

  • 代理机构32256 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人王锋;赵世发

  • 地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

  • 入库时间 2022-08-23 11:26:03

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号