一种基于自对准工艺的石墨烯场效应晶体管制造方法

摘要

本发明提供一种基于自对准工艺的石墨烯场效应晶体管制造方法，其中包括：提供基板，在基板上沉积石墨烯层，并在石墨烯层上沉积自对准层；在自准层上旋涂第一光刻胶，经过图形化并刻蚀去除部分自对准层和石墨烯层后移除第一光刻胶；在自对准层上旋涂第二光刻胶，经图形化后在自对准层的中心位置刻蚀开槽，保留第二正光刻胶；在槽中沉积栅介质层和栅电极，旋涂第三光刻胶层并进行图形化，保留槽上方的第三光刻胶，刻蚀部分栅介质层和栅电极，形成栅结构，去除第三光刻胶；产生源电极和漏电极。本发明能够在限定栅介质层的区域时使用正光刻胶，避免栅电极与石墨烯层直接接触，使得石墨烯场效应晶体管的性能更加稳定。