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一种全铝背场晶体硅太阳能电池用低温烧结型背面银浆

摘要

本发明公开了一种全铝背场晶体硅太阳能电池用低温烧结型背面银浆,该银浆主要包括如下质量份数:50~70份的纳米银粉、20~50份的有机载体、0.1~0.3份的分散剂和0.1~0.3份的触变剂,本发明采用的纳米银粉烧结活性好,在低温条件下容易烧结,而且可以烧结过程中部分银浆会渗进背面铝浆中,形成较好的银铝接触。本发明制备的低温烧结型银浆制备背面电极,可以形成完整的BSF层,提高了电极区域的场钝化特性,减少载流子复合,且没有银进入硅基体,不会漏电,降低电池的漏电流,提高光电转换效率,与常规相比,不用考虑套印,可降低电极宽度,降低成本。

著录项

  • 公开/公告号CN110459343B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南通天盛新能源股份有限公司;

    申请/专利号CN201910529059.2

  • 发明设计人 朱鹏;杨贵忠;陈艳美;王叶青;

    申请日2019-06-19

  • 分类号H01B1/22(20060101);H01L31/0224(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 226000 江苏省南通市经济技术开发区吉庆路28号

  • 入库时间 2022-08-23 11:25:44

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