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公开/公告号CN110767376B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-08
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院合肥物质科学研究院;
申请/专利号CN201911113517.0
发明设计人 郑金星;程远;陆坤;刘旭峰;张正硕;黄卫;
申请日2019-11-14
分类号H01B12/10(20060101);
代理机构11251 北京科迪生专利代理有限责任公司;
代理人杨学明
地址 230031 安徽省合肥市庐阳区蜀山湖路350号
入库时间 2022-08-23 11:24:54
机译: 一种提高高温超导体临界温度的方法
机译: 一种制备高温的具有改进性能的超导体积电流导体的方法以及超导体积电流导体
机译:一种可参数的方法来提取超导体的J(c)(b,θ)的现场 - 从高温超导磁带的范围电流 - 电压特性依赖
机译:基于YBCO高温超导体形成平面结构拓扑的一种新方法
机译:强相关材料和高温超导体的超快光谱:一种非平衡方法
机译:全体会议—使用高温超导体向超导磁体发展:一种集成方法
机译:高温超导体铜酸盐以及潜在的高温超导体K掺杂的对三联苯和三层镍的角分辨光发射光谱研究
机译:静水压力:一种非常有效的方法可显着提高粒状铁离子超导体的临界电流密度
机译:一种可参数的方法,用于从高温超导磁带的范围内电压特性提取超导体的Supercoxt'SJC(B,θ)场依赖性
机译:电子辐照对高温超导体和高温超导体接触的影响