具有(400)晶面择优的铟锡氧化物在透明薄膜热电偶上的应用

摘要

本发明涉及一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物在透明薄膜热电偶上的应用，属于薄膜热电偶技术领域。利用直流脉冲磁控溅射的方法将具有(400)晶面择优的体心立方铁锰矿相多晶铟锡氧化物制成透明薄膜热电偶的一极，所述直流脉冲磁控溅射的占空比为10‑40％。本发明通过控制直流脉冲磁控溅射所得铟锡氧化物薄膜的择优取向，使铟锡氧化物透明薄膜热电偶具有较高的塞贝克系数。