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公开/公告号CN109518159B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-04
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院大学;
申请/专利号CN201811393635.7
发明设计人 陈广超;李佳君;刘浩;李震睿;徐锴;陈正佳;
申请日2018-11-21
分类号C23C16/27(20060101);C23C16/505(20060101);
代理机构11207 北京华谊知识产权代理有限公司;
代理人刘月娥
地址 100049 北京市石景山区玉泉路19号(甲)
入库时间 2022-08-23 11:24:16
机译: III族元素与氮共掺杂合成表观P型氧化锌薄膜生长的方法
机译: 过渡金属和氮共掺杂用于甲醛净化的碳复合材料及其制备方法
机译: 共掺杂合成P型氧化锌薄膜薄膜生长的方法。组元素和氮
机译:一种绿色方法,用于在氮和硫共掺杂的石墨烯生物纳米复合材料上修饰的高阶3D花状CuS空心纳米球原位生长,具有增强的过氧化物酶样催化活性,用于比色葡萄糖生物传感
机译:替代氮对金刚石CVD生长过程的影响:一种理论方法
机译:Microneedle生长方法作为一种创新的自由晶体钻石基材的创新方法:在金刚石微针上的连续金刚石层生长方案进行详细研究
机译:氢和磷共掺杂以及硼和氮共掺杂用于低电阻率n型金刚石的制造:基于第一原理计算的材料设计
机译:方法学研究原位生成的第VI族过渡金属的Fischer卡宾配合物,氮基化合物的铬-Reformatsky反应以及Vogel收集物的分析研究。
机译:磷和氮共掺杂纳米晶金刚石膜的场电子发射性能的改善
机译:一种无氟合成具有暴露的{001}面的氮和镧共掺杂的TiO2纳米晶体的方法,以增强可见光的光催化活性
机译:一种改进的III-V族化合物液相外延生长方法