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快速热退火工艺能力的监控方法

摘要

本发明提供了一种快速热退火工艺能力的监控方法,通过在所述晶圆边缘至所述晶圆圆心之间的区域设置多个测试区,然后将所述晶圆表面非晶化,再对所述有源区进行正常的源漏离子注入和快速热退火工艺,所述快速热退火工艺修复激活所述有源区注入的杂质,并且修复所述晶圆表面因为非晶化而产生的晶格缺陷,通过获取所述测试区的晶化参数以得到所述晶圆表面的晶化参数与位置的实际对应关系,将所述实际对应关系与一理想对应关系进行比较就能够判断出所述快速热退火工艺能力是否满足控制要求,实现对快速热退火工艺的在线监控,避免不同的批次间的晶圆存在差异而导致器件的性能差异。

著录项

  • 公开/公告号CN108878274B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201810672950.7

  • 发明设计人 崔冶青;黄然;邓建宁;

    申请日2018-06-26

  • 分类号H01L21/265(20060101);H01L21/324(20060101);H01L21/67(20060101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人智云

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

  • 入库时间 2022-08-23 11:24:13

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