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一种基于改进的带隙基准结构的上电复位电路

摘要

本发明公开了一种基于改进的带隙基准结构的上电复位电路,包括:上电检测电路,用于在上电时产生差异化的输出电压第一分压RX和第二分压LX;比较电路,用于将该上电检测电路的输出整形以得到数字电路所需复位信号RESET;变电阻电路,用于在该比较电路输出的复位信号RESET的控制下将电阻接入电路或短路,通过本发明,可实现一个阈值电压在不同温度和工艺偏差下都相对稳定的低功耗上电复位电路。

著录项

  • 公开/公告号CN107342757B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201710567419.9

  • 发明设计人 钱翼飞;张宁;王志利;叶立;

    申请日2017-07-12

  • 分类号H03K17/22(20060101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人智云

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

  • 入库时间 2022-08-23 11:24:08

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