具有低吸收二极管结的激光二极管

摘要

一种激光二极管，具有在衬底上生长的多个半导体外延层。该二极管包括两个n型材料层之间的发光层。在有源层与n型材料层之间设置p型材料薄层。该二极管包括与衬底邻接的n型掺杂材料层，并包括n型掺杂材料层与p型掺杂材料层之间的有源层。另有一个n型掺杂材料层位于p型掺杂材料层与接触层之间。接触层加有偏压，以诱导有源区中空穴和电子的复合，并因此产生光。光沿着有源层、p型掺杂材料层在两个n型掺杂材料层中传播。接触层与p型掺杂材料层之间的n型掺杂材料层的存在减少了激光二极管内部被吸收的光子数量。这改善了激光二极管的能量转换效率、电流需求和最终寿命。相邻的p型掺杂材料层与n型掺杂材料层均包括重掺杂的隧道层，使得即使这两层之间的结加有反向偏压，隧道电流也能够流动。