一种β-Ga₂O₃基日盲紫外光电探测器阵列及其制备方法

摘要

本发明公开了一种β‑Ga₂O₃基日盲紫外光电探测器阵列及其制备方法，涉及光电子技术领域；探测器阵列从下到上依次为：β‑Ga₂O₃光吸收层、下电极层、氧化物薄膜绝缘层和上电极层；在衬底上生长β‑Ga₂O₃薄膜形成β‑Ga₂O₃光吸收层，然后在β‑Ga₂O₃光吸收层上制备包括列导线和叉指电极的下电极层；下电极层上方为氧化物薄膜绝缘层，最上层为包括行导线的上电极层；行导线与列导线的交叉部分中间布置氧化物薄膜绝缘层；每一列叉指电极的阳极都接在本列的列导线上，行导线连接每一行叉指电极的阴极；将制备好的探测器阵列用陶瓷封装器进行封装，得到β‑Ga₂O₃基日盲紫外光电探测器阵列。本发明具有工艺可控性强，成本低，操作步骤简单，可大面积制备、重复性好和开发周期短等优点。