基于第III族元素氮化物的半导体载体的制造

摘要

本发明涉及载体制造方法，所述载体用于制造基于第III族元素氮化物的半导体结构，其特征在于，该方法包括以下步骤：‑在衬底(10)上形成(100)缓冲层(20)，所述缓冲层包括基于第III族元素氮化物的上层，‑在缓冲层上沉积(200)结晶层(30)，所述结晶层由硅原子沉积以覆盖基于第III族元素氮化物的上层的整个表面。本发明还涉及通过该方法获得的载体以及基于该载体的半导体结构以及其制造方法。